FDC654P, Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,6А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546392
- Артикул
- FDC654P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 1.7mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
Цена по запросу
(от 148 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 1.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDC654P |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC654P_NL |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 75 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.6 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |