FDC653N, MOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584528
- Артикул
- FDC653N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SuperSOT-6
- Type:
- FET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- RDS-on
- 35@10V mOhm
Цена по запросу
(от 92,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Case | SuperSOT-6 |
| Type: | FET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| RDS-on | 35@10V mOhm |
| Series: | FDC653N |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Technology | PowerTrench® |
| Вес, г | 0.04 |
| Gate charge | 16nC |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 5A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC653N_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 1.6W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Typical Fall Time | 6 ns |
| Typical Rise Time | 12 ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Max Processing Temp | 260 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 56mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.5 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.2 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |