Моя заявка (0)

FDC642P-F085P, Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

FDC642P-F085P, Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8040798076
Артикул
FDC642P-F085P
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 1855 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 20V 4A 6-контактный TSOT-23 T/R Автомобильный AEC-Q101

Технические параметры

PPAPYes
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed6
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle Quad Drain
Package Width1.5 mm
Package Length2.95 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTSOT-23
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураMOSFET
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)9.6
Typical Rise Time (ns)5.5
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)1200
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)6.9@4.5V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±8
Typical Turn-On Delay Time (ns)7.3
Maximum Drain-Source Voltage (V)20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)23.2
Maximum Gate Threshold Voltage (V)1.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)4
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)630@10V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)65@4.5V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация