Моя заявка (0)

FDC640P,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Surface Mount

FDC640P,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8730140016
Артикул
FDC640P
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDC640P
Product:
MOSFET Small Signals
Цена по запросу
(от 124 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDC640P
Product:MOSFET Small Signals
Fall Time:9 ns
Rise Time:9 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г10
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SSOT-6
Part # Aliases:FDC640P_NL
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.6 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:24 ns
Id - Continuous Drain Current:4.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:16 S
Rds On - Drain-Source Resistance:53 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.039 Ом

Техническая документация