FDC638P, Микросхема
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061237773
- Артикул
- FDC638P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 1.7mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и удельную мощность.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 1.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDC638P |
| Тип: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC638P_NL |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 1.6Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Тип транзистора: | 1 P-Channel |
| Forward Transconductance - Min: | 15 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 72 mΩ |
| Qg - заряд затвора: | 14 nC |
| Drain Source On State Resistance | 0.039Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Время нарастания: | 9 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 48 mOhms |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Рабочая температура: | - 55 C + 150 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.6Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Полярность транзистора: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 12В |
| Id - непрерывный ток утечки: | 4.5 A |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 48 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1.5 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.039Ом |