FDC638APZ-SBMS001, P-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038865886
- Артикул
- FDC638APZ-SBMS001
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Power MOSFET
- Вес, г
- 1
- Configuration
- Single Quad Drain
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 30 ₽)
Минимальный заказ: 2280 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH 20V 4.5A
Технические параметры
| Category | Power MOSFET |
| Вес, г | 1 |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Структура | P-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 47 |
| Typical Rise Time (ns) | 20 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1600 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8@4.5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 48 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 750@10V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 43@4.5V |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.5…1.1 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |