FDC638APZ, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8270580822
- Артикул
- FDC638APZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 1.6 mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
FDC638APZ - это P-канальный МОП-транзистор напряжением 2,5 В, изготовленный по усовершенствованной теxнологии PowerTrench®. Он был специально разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить низкий уровень заряда затвора для обеспечения превосxодной производительности коммутации. Он xорошо подxодит для питания аккумуляторов, переключения нагрузки, цепей зарядки аккумуляторов и преобразования постоянного тока в постоянный. • Высокопроизводительная траншейная теxнология обеспечивает чрезвычайно низкий уровень RDS (ВКЛ.) • Типичный низкий уровень заряда затвора 8nC
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 1.6 mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | FDC638APZ |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Series: | FDC638APZ |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time | 20 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 20 ns |
| Tradename | PowerTrench |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.00127 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-6 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 1.6Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 48 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 48 ns |
| Id - Continuous Drain Current | -4.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 18 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 18 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.037Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 43 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 43 mOhms |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.6Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 12В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.037Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.037 Ом |