FDC637AN, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 6,2А, 1,6Вт, SuperSOT-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017540909
- Артикул
- FDC637AN
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RDS-on
- 24@4.5V mOhm
- Mounting
- Surface Mount
- Вес, г
- 0.03
- Lead Finish
- Matte Tin
Цена по запросу
(от 42 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 6,2А, 1,6Вт, SuperSOT-6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RDS-on | 24@4.5V mOhm |
| Mounting | Surface Mount |
| Вес, г | 0.03 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Typical Fall Time | 11 ns |
| Typical Rise Time | 13 ns |
| Структура | MOSFET |
| Max Processing Temp | 260 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Особенности | - |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 26 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.2 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |