PowerTrench Dual N/P-Channel MOSFET, 1.9 A, 2.7 A, 20 V, 6-Pin SOT-23 FDC6327C
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016033918
- Артикул
- FDC6327C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.7mm
- Series
- PowerTrench
- FET Type
- N and P-Channel
- Packaging
- Tape & Reel(TR)
Цена по запросу
(от 156,89 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и удельную мощность.
Технические параметры
| Width | 1.7mm |
| Series | PowerTrench |
| FET Type | N and P-Channel |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Особенности | TrenchFET |
| Supplier Device Package | SuperSOTв(ў-6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.85 nC @ 4.5 V, 3.25 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ, 270 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A, 2.7 A |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 1.9А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.7A, 1.9A |
| Рассеиваемая Мощность | 960мВт |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.069Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.14 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.08 Ом |