FDC6318P, Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 2.5 A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8756847589
- Артикул
- FDC6318P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDC6318P
- Product:
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 129 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -12В, -2,5А, 0,96Вт, SuperSOT-6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDC6318P |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 14 ns |
| Rise Time: | 14 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC6318P_NL |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 960 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 69 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 90mΩ@4.5V, 2.5A |