Моя заявка (0)

FDC6318P, Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -12В, -2,5А, 0,96Вт, SuperSOT-6

FDC6318P, Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -12В, -2,5А, 0,96Вт, SuperSOT-6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062460751
Артикул
FDC6318P
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDC6318P
Product:
MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 50 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDC6318P
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:14 ns
Rise Time:14 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SSOT-6
Part # Aliases:FDC6318P_NL
Transistor Type:2 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:960 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:21 ns
Id - Continuous Drain Current:2.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8 S
Rds On - Drain-Source Resistance:69 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация