Моя заявка (0)
FDC6318P, MOSFETs SuperSOT-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833452
Артикул
FDC6318P
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDC6318P
Product:
MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 83,90 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -12В, -2,5А, 0,96Вт, SuperSOT-6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDC6318P
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:14 ns
Rise Time:14 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SSOT-6
Part # Aliases:FDC6318P_NL
Transistor Type:2 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:960 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:21 ns
Id - Continuous Drain Current:2.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8 S
Rds On - Drain-Source Resistance:69 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация