Моя заявка (0)

FDC6312P, Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,3А; 960мВт; SuperSOT-6

FDC6312P, Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,3А; 960мВт; SuperSOT-6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024754354
Артикул
FDC6312P
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.7mm
Series
PowerTrench
Pin Count
6
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 60,18 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и удельную мощность.

Технические параметры

Width1.7mm
SeriesPowerTrench
Pin Count6
Вес, г0.03
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationIsolated
Maximum Power Dissipation960 mW
Typical Gate Charge @ Vgs4.4 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage0.4V
Maximum Drain Source Resistance115 mΩ
Maximum Continuous Drain Current2.3 A
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.96
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация