Моя заявка (0)
FDC6305N, Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8449463630
Артикул
FDC6305N
Бренд
ON Semiconductor***
Case
SuperSOT-6
Width
1.7mm
Series
PowerTrench
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 105 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 2,7А, 0,96Вт, SuperSOT-6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseSuperSOT-6
Width1.7mm
SeriesPowerTrench
MountingSMD
Pin Count6
TechnologyPowerTrench®
Вес, г0.03
Gate charge5nC
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerONSEMI
Package TypeSOT-23
Polarisationunipolar
Drain current2.7A
Mounting TypeSurface Mount
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation0.96W
Type of transistorN-MOSFET x2
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±8V
On-state resistance128mΩ
Transistor MaterialSi
Drain-source voltage20V
Особенностиполевая сборка
Transistor ConfigurationIsolated
Maximum Power Dissipation960 mW
Typical Gate Charge @ Vgs3.5 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage20 V
Continuous Drain Current (Id)4.8A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage0.4V
Maximum Drain Source Resistance128 mΩ
Maximum Continuous Drain Current2.7 A
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2.7А
Рассеиваемая Мощность960мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs900мВ
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораSuperSOT
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.08Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)22mΩ@4.5V, 4.8A

Техническая документация