FDC6303N, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 25В, 0,68А, 0,9Вт, SuperSOT-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017540908
- Артикул
- FDC6303N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- FET
- Width
- 1.7mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDC6303N
Цена по запросу
(от 42,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 25В, 0,68А, 0,9Вт, SuperSOT-6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | FET |
| Width | 1.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDC6303N |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Rise Time: | 8.5 ns |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SSOT-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FDC6303N_NL |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 900 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.64 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 680 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.65V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.145 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 450 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 680 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 650 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 680мА |
| Рассеиваемая Мощность | 900мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.45Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.68 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |