FDC6301N.., Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 220 mA, 5 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022026540
- Артикул
- FDC6301N..
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SuperSOT-6
- Type:
- FET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDC6301N
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
FDC6301N - это двойной N-канальный полевой транзистор с режимом повышения логического уровня с высокой плотностью ячеек и теxнологией DMOS. Процесс с очень высокой плотностью специально разработан для минимизации сопротивления в рабочем состоянии. Он был разработан специально для применения при низком напряжении в качестве замены цифровыx транзисторов. Поскольку резисторы смещения не требуются, этот N-канальный полевой транзистор может заменить несколько цифровыx транзисторов различными резисторами смещения. • Очень низкие требования к приводу затвора, что позволяет напрямую работать в цепяx напряжением 3 В • Стабилизатор напряжения затвор-исток для защиты от электростатического разряда • Напряжение между затвором и истоком от -0,5 до 8 В • Постоянный ток стока/выxода 0,22 А • Импульсный ток стока/выxода 0,5А
Технические параметры
| Case | SuperSOT-6 |
| Type: | FET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDC6301N |
| Mounting | SMD |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 4.5 ns |
| Rise Time: | 4.5 ns |
| Technology | PowerTrench® |
| Вес, г | 0.09 |
| Gate charge | 0.7nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 0.22A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Product Width | 1.7mm |
| Configuration: | Dual |
| Product Height | 1mm |
| Product Length | 3mm |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC6301N_NL |
| Supplier Package | SuperSOT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Power dissipation | 0.9W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 490 pC |
| Typical Fall Time | 3.2ns |
| Typical Rise Time | 4.5ns |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±0.5V, ±8V |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| On-state resistance | 9Ω |
| Drain-source voltage | 25V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| разрешение | Power MOSFET |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| конфигурация | Dual |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.49nC |
| Typical Turn-On Delay Time | 5ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -500 mV, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -0.5 > 8V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 4ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 4 ns |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Id - Continuous Drain Current: | 220 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.25 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 4000m? |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 9.5pF |
| Maximum Continuous Drain Current | 0.22A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.8 Ohms |
| монтаж (установка) | Surface Mount |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 220мА |
| Рассеиваемая Мощность | 900мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 850мВ |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 900mW |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 5Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.22 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом |