FDC610PZ, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -4,9А, 1,6Вт, SuperSOT-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019805697
- Артикул
- FDC610PZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SuperSOT-6
- Type
- P Channel
- Width
- 1.7mm
- Series
- PowerTrench
Цена по запросу
(от 68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 4,9 А 42mOhm@4.9A, 10 В 1,6 Вт 3 В при 250 мкА P-канальные МОП-транзисторы SuperSOT-6, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Case | SuperSOT-6 |
| Type | P Channel |
| Width | 1.7mm |
| Series | PowerTrench |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 6 |
| Technology | PowerTrench® |
| Вес, г | 0.02 |
| Gate charge | 13nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -4.9A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 1.6W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±25V |
| On-state resistance | 75mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -30V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.6W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.005nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.9A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.9 A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 42mΩ@4.9A, 10V |