Моя заявка (0)

FDC608PZ, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -5,8А, 1,6Вт, SuperSOT-6

FDC608PZ, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -5,8А, 1,6Вт, SuperSOT-6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017540907
Артикул
FDC608PZ
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Width
1.7mm
Series
PowerTrench
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 67,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -5,8А, 1,6Вт, SuperSOT-6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

PPAPNo
Width1.7mm
SeriesPowerTrench
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.05
PCB changed6
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
ConfigurationSingle Quad Drain
Mounting TypeSurface Mount
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTSOT-23
Process TechnologyTMOS
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)60
Typical Rise Time (ns)8
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.6 W
Typical Gate Charge @ Vgs17 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Power Dissipation (mW)1600
Minimum Gate Threshold Voltage0.4V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)17@4.5V
Maximum Drain Source Resistance43 mΩ
Maximum Gate Source Voltage (V)±12
Typical Turn-On Delay Time (ns)13
Maximum Continuous Drain Current5.8 A
Maximum Drain Source Voltage (V)20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)91
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)5.8
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1330@10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)30@4.5V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1.6
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация