Моя заявка (0)

FDC604P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -5,5А, 1,6Вт, SuperSOT-6

FDC604P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -5,5А, 1,6Вт, SuperSOT-6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008518341
Артикул
FDC604P
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.7mm
Series
PowerTrench
Pin Count
6
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 64 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -5,5А, 1,6Вт, SuperSOT-6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width1.7mm
SeriesPowerTrench
Pin Count6
Вес, г0.03
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.6 W
Typical Gate Charge @ Vgs19 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage0.4V
Maximum Drain Source Resistance60 mΩ
Maximum Continuous Drain Current5.5 A
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1.6
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация