Моя заявка (0)

FDC5614P,Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Surface Mount

FDC5614P,Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8452012196
Артикул
FDC5614P
Бренд
ON Semiconductor***
MSL
MSL 1-Unlimited
Type:
MOSFET
Width
1.7mm
Brand:
onsemi/Fairchild
Цена по запросу
(от 114 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и удельную мощность.

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Type:MOSFET
Width1.7mm
Brand:onsemi/Fairchild
SeriesPowerTrench
Series:FDC5614P
Product:MOSFET Small Signals
Pin Count6
Fall Time:10 ns
Rise Time:10 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.06
No. of Pins6Pins
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SSOT-6
Part # Aliases:FDC5614P_NL
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:24 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Polarity:P-Channel
Transistor Case StyleSuperSOT
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:1.6 W
Drain Source Voltage Vds60V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.6 W
Operating Temperature Max150°C
Typical Gate Charge @ Vgs15 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Continuous Drain Current Id3A
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8 S
Maximum Drain Source Resistance105 mΩ
Maximum Continuous Drain Current3 A
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Rds On - Drain-Source Resistance:105 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Крутизна характеристики, S8
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.105 Ом

Техническая документация