FDC3612, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,6А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021885194
- Артикул
- FDC3612
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Mounting
- Surface Mount
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 100 В, 2,6 А, SSOT6; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 2,6 А; Напряжение источника стока Vds: 100 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,125 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs: 2,3 В; Рассеиваемая мощность Pd: 1,6 Вт; Тип корпуса транзистора: SuperSOT; Количество контактов: 6; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC:Без SVHC (27 июня 2018 г.); Текущий идентификатор Макс.: 2,6 А; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: от -55°C до +150°C; Тип подключения: Устройство для поверxностного монтажа; Тип напряжения Vds: 100 В; Максимальное напряжение Vgs: 2,3 В; Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 3.5 ns |
| Rise Time: | 3.5 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | TSOT-23 |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SSOT-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FDC3612_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 1.6(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Continuous Drain Current | 2.6(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |