FDC3612, MOSFETs 100V NCh PowerTrench
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833446
- Артикул
- FDC3612
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 69,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 3.5 ns |
| Rise Time: | 3.5 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | TSOT-23 |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SSOT-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FDC3612_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 1.6(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Continuous Drain Current | 2.6(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |