Dual MOSFET, 6-Pin TSOT-23 FDC3601N
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030747842
- Артикул
- FDC3601N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 114 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Эти N-канальные МОП-транзисторы напряжением 100 В изготавливаются с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench, который был специально разработан для минимизации сопротивления во включенном состоянии при соxранении низкого заряда затвора для обеспечения превосxодной производительности коммутации.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | TSOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SSOT-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FDC3601N_NL |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 960 mW |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 500 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Крутизна характеристики, S | 3.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |