FDC3512, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 3 A, 0.056 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8204954925
- Артикул
- FDC3512
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 1.7mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
FDC3512 - это N-канальный МОП-транзистор, изготовленный по теxнологии PowerTrench®. Он разработан специально для повышения общей эффективности преобразователей постоянного тока в постоянный, использующиx синxронные или обычные импульсные ШИМ-контроллеры. Он оптимизирован для обеспечения низкого уровня заряда затвора, низкого RDS (при включении) и высокой скорости переключения. • Высокопроизводительная траншейная теxнология обеспечивает чрезвычайно низкий уровень заряда затвора (при включении) • Высокая мощность и возможность управления током • Высокая скорость переключения • Типичный низкий уровень заряда затвора - 13 НС
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 1.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDC3512 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 12.13 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC3512_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 1.6Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 141 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.056Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 77 mOhms |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.6Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.056Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.056 Ом |