Моя заявка (0)

FDC2612,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Surface Mount

FDC2612,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8381684117
Артикул
FDC2612
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDC2612
Product:
MOSFET Small Signals
Цена по запросу
(от 131 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDC2612
Product:MOSFET Small Signals
Fall Time:6 ns
Rise Time:6 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.036
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SSOT-6
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:FDC2612_NL
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:11 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.6 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:17 ns
Id - Continuous Drain Current:1.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:4.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance:725 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.605 Ом

Техническая документация