FDBL9401-F085T6, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 240 A, 0.0006 ohm, H-PSOF, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004553990
- Артикул
- FDBL9401-F085T6
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.4
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 1 620 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одиночные N-канальные силовые МОП-транзисторы onsemi Одиночные N-канальные силовые МОП-транзисторы - это МОП-транзисторы небольшого размера и компактной конструкции с низким коэффициентом усиления (вкл.) и малой емкостью. Низкое значение RDS (on) помогает свести к минимуму потери проводимости, а низкая емкость - к минимуму потери в драйвере. Эти одноканальные МОП-транзисторы питания не содержат Pb и соответствуют требованиям RoHS, а диапазон рабочиx температур составляет от -55°C до 175°C.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-LL8-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 148 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 180.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 240 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 670 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 240 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 180.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0006 Ом |