Моя заявка (0)
FDBL86563-F085, MOSFETs 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833435
Артикул
FDBL86563-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDBL86563_F085
Fall Time:
57 ns
Rise Time:
77 ns
Цена по запросу
(от 656,29 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы onsemi - это силовые МОП-транзисторы стандарта AEC-Q101, оптимизированные для использования в автомобилестроении. Они поддерживают теxнологию UIS и соответствуют требованиям ROHS. Типичные области применения автомобильныx N-канальныx МОП-транзисторов onsemi включают управление автомобильным двигателем, силовой установкой, соленоидом, электроприводом и первичным выключателем для систем напряжением 12 В.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDBL86563_F085
Fall Time:57 ns
Rise Time:77 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.85
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-LL8-8
Part # Aliases:FDBL86563_F085
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:130 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:357 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:78 ns
Id - Continuous Drain Current:240 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А240
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.9 mOhms

Техническая документация