Моя заявка (0)

FDBL86561-F085,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 300 A, 850 µohm, H-PSOF, Surface Mount

FDBL86561-F085,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 300 A, 850 µohm, H-PSOF, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001929666
Артикул
FDBL86561-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDBL86561_F085
Fall Time:
41 ns
Rise Time:
61 ns
Цена по запросу
(от 807 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDBL86561_F085
Fall Time:41 ns
Rise Time:61 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.4
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-LL8-8
Part # Aliases:FDBL86561_F085
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:170 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:429 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:45 ns
Typical Turn-Off Delay Time:80 ns
Id - Continuous Drain Current:300 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация