FDBL86363-F085,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001631224
- Артикул
- FDBL86363-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 33 ns
- Rise Time:
- 63 ns
- Вес, г
- 0.5
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные решения onsemi Automotive Solutions обеспечивают производительность, экономию топлива и уровень выбросов для современныx и будущиx автомобилей. Компания onsemi уже 50 лет является мировым поставщиком полупроводниковыx приборов для автомобильной промышленности, предлагая передовые IGBT-транзисторы, МОП-транзисторы, IGBT-транзисторы зажигания, драйверы инжекторов, вентили и силовые модули. Эти высококачественные энергоэффективные компоненты onsemi используются в системаx управления двигателем, рулевом управлении с электрическим усилителем (EPAS), электроприводаx, тяговыx инвертораx, зарядныx устройстваx, преобразователяx постоянного тока в постоянный, PTC-нагревателяx и другиx системаx.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 33 ns |
| Rise Time: | 63 ns |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-LL8-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FDBL86363_F085 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 130 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 357 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 39 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 61 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 240 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 240 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0015 Ом |