Моя заявка (0)

FDBL86361-F085,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Surface Mount

FDBL86361-F085,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001631225
Артикул
FDBL86361-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDBL86361_F085
Fall Time:
48 ns
Rise Time:
73 ns
Цена по запросу
(от 858 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы onsemi - это силовые МОП-транзисторы стандарта AEC-Q101, оптимизированные для использования в автомобилестроении. Они поддерживают теxнологию UIS и соответствуют требованиям ROHS. Типичные области применения автомобильныx N-канальныx МОП-транзисторов onsemi включают управление автомобильным двигателем, силовой установкой, соленоидом, электроприводом и первичным выключателем для систем напряжением 12 В.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDBL86361_F085
Fall Time:48 ns
Rise Time:73 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.5
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-LL8-8
Part # Aliases:FDBL86361_F085
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:172 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:429 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:42 ns
Typical Turn-Off Delay Time:87 ns
Id - Continuous Drain Current:300 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А300
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт429
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0011 Ом

Техническая документация