N-Channel MOSFET, 240 A, 100 V, 8-Pin H-PSOF8L FDBL86066-F085
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014506506
- Артикул
- FDBL86066-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 11.78mm
- Brand:
- onsemi
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 13 ns
Цена по запросу
(от 490 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Характеристики Типичный RDS (вкл.) = 3,3 Мом при VGS = 10 В, ID = 80 А Типичный Qg (суммарный ток) = 47 нМ при VGS = 10 В, ID = 80 А
Технические параметры
| Width | 11.78mm |
| Brand: | onsemi |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | H-PSOF8L |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-LL8-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 69 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.25V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 240 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.1 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 240 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 240 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |