Моя заявка (0)
FDBL0630N150, MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833433
Артикул
FDBL0630N150
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDBL0630N150
Fall Time:
23 ns
Rise Time:
30 ns
Цена по запросу
(от 769,16 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDBL0630N150
Fall Time:23 ns
Rise Time:30 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.85
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-LL8-8
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation500Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:70 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:500 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:39 ns
Typical Turn-Off Delay Time:70 ns
Id - Continuous Drain Current:169 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.005Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:5 mOhms
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Непрерывный Ток Стока169А
Рассеиваемая Мощность500Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.8В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораH-PSOF
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.005Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация