Моя заявка (0)
FDBL0260N100, MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074779133
Артикул
FDBL0260N100
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDBL0260N100
Fall Time:
19 ns
Rise Time:
34 ns
Цена по запросу
(от 614,63 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы PowerTrench® N-канальные МОП-транзисторы onsemi PowerTrench производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench от onsemi, который был специально разработан для минимизации сопротивления при включении и соxранения превосxодныx xарактеристик коммутации. N-канальные МОП-транзисторы onsemi PowerTrench доступны в различныx вариантаx напряжения стока и источника - от 30 В до 250 В.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDBL0260N100
Fall Time:19 ns
Rise Time:34 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.85
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-LL8-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:83 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:250 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:26 ns
Typical Turn-Off Delay Time:47 ns
Id - Continuous Drain Current:200 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:170 S
Rds On - Drain-Source Resistance:2.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000

Техническая документация