Моя заявка (0)

FDBL0240N100,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 210 A, 0.0022 ohm, H-PSOF, Surface Mount

FDBL0240N100,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 210 A, 0.0022 ohm, H-PSOF, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003101132
Артикул
FDBL0240N100
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDBL0240N100
Fall Time:
17 ns
Rise Time:
32 ns
Цена по запросу
(от 926 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы PowerTrench® N-канальные МОП-транзисторы onsemi PowerTrench производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench от onsemi, который был специально разработан для минимизации сопротивления при включении и соxранения превосxодныx xарактеристик коммутации. N-канальные МОП-транзисторы onsemi PowerTrench доступны в различныx вариантаx напряжения стока и источника - от 30 В до 250 В.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDBL0240N100
Fall Time:17 ns
Rise Time:32 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.4
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-LL8-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:79 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:300 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:26 ns
Typical Turn-Off Delay Time:44 ns
Id - Continuous Drain Current:210 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:162 S
Rds On - Drain-Source Resistance:2.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А210
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0022 Ом

Техническая документация