FDBL0150N80, 80V 300A 1.4mOhm@80A,10V 429W null H-PSOF-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025946984
- Артикул
- FDBL0150N80
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDBL0150N80
- Fall Time:
- 48 ns
- Rise Time:
- 73 ns
Цена по запросу
(от 357,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDBL0150N80 |
| Fall Time: | 48 ns |
| Rise Time: | 73 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 1.06 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-LL8-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 172 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 429 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 42 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 87 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 429 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.4мОм |