Моя заявка (0)

FDB86566-F085, Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

FDB86566-F085, Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002309756
Артикул
FDB86566-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 353 ₽)
Минимальный заказ: 233 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 110A 3-контактный (2+Tab) D2PAK T/R Автомобильный AEC-Q101

Технические параметры

TabTab
PPAPYes
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.65(Max)mm
Package Length10.67(Max)mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyTMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-263
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)13
Typical Rise Time (ns)52
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)176000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)80
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)80@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)36
Maximum Drain-Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)36
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)110
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)6655@30V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)2.7@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация