FDB52N20TM, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 52А, 357Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062800459
- Артикул
- FDB52N20TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- D2PAK
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 9.65 mm
Цена по запросу
(от 270,27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 200V N-Ch МОП-транзистор
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 9.65 mm |
| Height | 4.83 mm |
| Length | 10.67 mm |
| Series | FDB52N20 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 150 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 160 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.74 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | FDB52N20 |
| Gate charge | 63nC |
| Unit Weight | 0.046296 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 4.83 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Configuration | Single |
| Drain current | 52A |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Power dissipation | 357W |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 49mΩ |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Drain-source voltage | 200V |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 150 ns |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 150 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 52 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 35 S |
| Qg - заряд затвора | 63 nC |
| Время нарастания | 160 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 49 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 49 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 150 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 35 S |