FDB44N25TM, MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833410
- Артикул
- FDB44N25TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- D2PAK
- Width
- 11.33mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- UniFET
Цена по запросу
(от 273,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Width | 11.33mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | UniFET |
| Series: | FDB44N25 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 115 ns |
| Rise Time: | 400 ns |
| Technology | UniFET™ |
| Вес, г | 2.08 |
| Gate charge | 61nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 26.4A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 307W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 61 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 69mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 250V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 307 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 307 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 55 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 32 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 69 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 44 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 69 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | -40 V, +40 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 307 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |