FDB3682, MOSFETs 100V N-Channel Pwr Trench
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673854
- Артикул
- FDB3682
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDB3682
Цена по запросу
(от 277,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDB3682 |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Fall Time: | 32 ns |
| Rise Time: | 46 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 1.31 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | D2PAK |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-3 |
| Part # Aliases: | FDB3682_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 95(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 95 W |
| Continuous Drain Current | 6(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 32 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |