FDB3652, Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002306630
- Артикул
- FDB3652
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- D2PAK
- Mounting
- SMD
- Technology
- PowerTrench®
- Вес, г
- 2.26
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 61А, 150Вт, D2PAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Mounting | SMD |
| Technology | PowerTrench® |
| Вес, г | 2.26 |
| Gate charge | 53nC |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 61A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 150W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 43mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |