FDB3632,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8240327912
- Артикул
- FDB3632
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 9.65mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.96
Цена по запросу
(от 531 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают сложные задачи на автомобильном рынке с полным соблюдением стандартов качества, безопасности и надежности.
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.96 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 310 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0075 Ом |