Моя заявка (0)

FDB3502, 75V 22A 37mOhm@10V,6A 41W 3.8V@250uA 35pF@40V N Channel 615pF@40V 11nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TO-263AB MOSFETs

FDB3502, 75V 22A 37mOhm@10V,6A 41W 3.8V@250uA 35pF@40V N Channel 615pF@40V 11nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TO-263AB MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062382416
Артикул
FDB3502
Бренд
ON Semiconductor***
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1.8
Цена по запросу
(от 206,28 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 75V N-Channel PowerTrench

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1.8
Длина10.67 mm
СерияFDB3502
Высота4.83 mm
Ширина9.65 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
ТехнологияSi
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада3 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max)3.1W(Ta), 41W(Tc)
Supplier Device PackageTO-263(D2PAK)
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Время нарастания3 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds815 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A(Ta), 14A(Tc)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности3.1 W
Id - непрерывный ток утечки6 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки800
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток47 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток75 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения13 ns
Типичное время задержки при включении9 ns

Техническая документация