FDB33N25TM, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 33А, 235Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033518177
- Артикул
- FDB33N25TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 11.33mm
- Series
- UniFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 148,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор UniFET™ относится к семейству высоковольтныx МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он обладает наименьшим сопротивлением во включенном состоянии среди планарныx МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую лавинообразную мощность.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 11.33mm |
| Series | UniFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.89 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 235W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 235 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 36.8 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 48nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.135nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 33A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 94 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 235 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 94mΩ@10V, 16.5A |