FDB28N30TM, Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002305582
- Артикул
- FDB28N30TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- D2PAK
- Brand
- onsemi
- Width
- 11.33mm
- Series
- UniFET
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор UniFET™ относится к семейству высоковольтныx МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он обладает наименьшим сопротивлением во включенном состоянии среди планарныx МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую лавинообразную мощность.
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Brand | onsemi |
| Width | 11.33mm |
| Series | UniFET |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Technology | UniFET™ |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 50nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 28A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 250W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.129Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 300V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 300 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 129 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |