PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 50 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB2710
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014593963
- Артикул
- FDB2710
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- D2PAK
- Type
- null
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
Цена по запросу
(от 876,21 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
250 В 50 А 42.5mOhm@25A,10 В 260 Вт 5 В при 250uA нулевые МОП-транзисторы D2PAK-3 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Type | null |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 154 ns |
| Rise Time: | 252 ns |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 101nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 50A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 260W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 101 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 36.3mΩ |
| Drain-source voltage | 250V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Power Dissipation (Pd) | 260W |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 260 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 101nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 80 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.28nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 112 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 63 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 36.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 260 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 42.5mΩ@25A, 10V |