PowerTrench N-Channel MOSFET, 62 A, 200 V, 3-Pin D2PAK FDB2614
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010470592
- Артикул
- FDB2614
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 11.33mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
Цена по запросу
(от 932,54 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 62А, 260Вт, D2PAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 11.33mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDB2614 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 162 ns |
| Rise Time: | 284 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SC-70-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 99 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 260 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 260 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 77 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 103 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 62 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 72 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 27 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 62 A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 62 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 260 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |