FDB2572, MOSFETs N-Channel UltraFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584510
- Артикул
- FDB2572
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- Case
- D2PAK
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
Цена по запросу
(от 450 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| Case | D2PAK |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | FDB2572 |
| Mounting | SMD |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 14 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 14 ns |
| Technology | PowerTrench® |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 77 |
| Gate charge | 34nC |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Drain current | 29A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package Width | 9.65(Max) |
| Package/Case: | SC-70-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package Length | 10.67(Max) |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FDB2572_NL |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 135W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 146mΩ |
| Drain-source voltage | 150V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 14 |
| Typical Rise Time (ns) | 14 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 135 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 135000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 26@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 150 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 31 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1770@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 54@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 135 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |