FDB2532, MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833402
- Артикул
- FDB2532
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 11.33mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой FDB2532 от производителя ONSEMI представляет собой высокопроизводительный компонент, идеально подходящий для различных электронных схем. Монтаж данного компонента осуществляется при помощи SMD-технологии, что обеспечивает удобство в интеграции на печатные платы. С током стока в 79 А и напряжением сток-исток в 150 В, этот N-MOSFET транзистор способен выдерживать значительные электрические нагрузки, при этом обладая мощностью в 310 Вт. Низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,014 Ом, сводит к минимуму потери энергии, что делает FDB2532 идеальным выбором для энергоэффективных применений. Корпус D2PAK обеспечивает надежную механическую защиту и теплоотвод. Ваш выбор модели FDB2532 гарантирует отличную производительность и надежность для вашего проекта. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 79 Напряжение сток-исток, В 150 Мощность, Вт 310 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.014 Корпус D2PAK
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 11.33mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDB2532 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 17 ns |
| Rise Time: | 30 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 2.09 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FDB2532_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 107 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 310 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 310 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 79 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 48 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 79 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 310 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |