FDB2532, Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002305670
- Артикул
- FDB2532
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 11.33mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
Цена по запросу
(от 488 ₽)
Минимальный заказ: 54 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 11.33mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDB2532 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 17 ns |
| Rise Time: | 30 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FDB2532_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 107 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 310 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 310 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 79 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 48 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 79 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 310 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |