FDB20N50F, MOSFETs 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833401
- Артикул
- FDB20N50F
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.76
- Длина
- 10.67 mm
- Серия
- FDB20N50F
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 420,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор UF 500V 260MOHM F D2PAK
Технические параметры
| Вес, г | 1.76 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | FDB20N50F |
| Channel Type | N Channel |
| Высота | 4.83 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 60 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 50 nC |
| Время нарастания | 120 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.22Ом |
| Линейка Продукции | UniFET FRFET |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Рассеиваемая Мощность | 250Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Коммерческое обозначение | UniFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.22Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 25 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |